纵观国内半导体产业，功率半导体器件企业目前技术水平依然相对落后，特别是新型功率半导体器件 MOSFET、IGBT、PIC 产品，国外企业早已有许多的专利进行保护。如MOSFET 专利就有数千个，非常容易构成对其产品专利侵权行为。想要突破瓶颈，实现产业健康发展，国内企业需在知识产权方面狠下功夫。
为避开国外公司专利，华微电子逐年加大对知识产权的投入及保护，并完成了知识产权体系认证，完成国家知识产权优势企业认证。
华微电子为了更好地实施国家知识产权优势企业的创建工作，充分发挥知识产权在创新发展中的作用，适应企业发展的需要，目前，公司实现了科技开发与专利申请同步，并按照研发投入的一定比例设立了企业知识产权专项资金，专门用于企业内部知识产权创造、运用、保护和管理等各个环节的开支费用。
巨大的研发投入不仅推动华微电子的技术实力达到国内同行业领先水平，也帮助公司赢得了更大的市场份额，进一步保证公司持续快速发展。同时，技术成果的转化也加快了我国功率器件领域的国产化替代进程，解决了如高速列车、新能源、电动汽车、工业变频等多个高端领域芯片的核心问题。
2021-2022年期间，华微电子持续加大研发力度，强化技术研发体系建设，形成以公司级和事业部级产品研发两级管理平台，突出重点研发项目。全力推进IGBT、 SCR、Trench MOS、 超结 MOS和 Trench SBD等五项产品系列平台建设，产品性能水平持续提升。在新能源汽车、变频家电、光伏储能等新兴领域积极拓展，进展顺利达到预期效果。在公司“三项结构调整”工作方针指导下，针对核心客户、重点领域组建专项技术服务团队，提高产品开发和技术服务保障能力及响应速度。
目前，华微电子总资产69亿元，员工2300余人，占地面积40万平方米，建筑面积13.5万平方米，净化面积17000平方米。公司拥有4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力每年400万片，封装能力每年24亿支，模块每年2400万块。
华微电子现已拥有百余项专利，核心技术国内领先，达到国际同行业先进水平。并已形成以IGBT、MOS、FRD、IPM和PM模块、SBD、宽禁带半导体、SCR及BJT等为营销主线的系列产品，基本覆盖了功率半导体器件的全部范围。
